【ICP-10】省エネを牽引するパワーデバイスの最新技術動向

1月20日［金］　13:30～16:00
コースリーダー：（株）デンソー　大倉勝徳サブリーダー：日立化成工業（株）　山森昌美

次世代環境車を牽引するパワーデバイス及びモジュール技術
～その現状と今後の展望～

［講師］　
トヨタ自動車（株）
第3電子開発部長
濱田公守

＜講演内容＞
次世代環境車の普及のためには、その基幹部品であるパワーデバイス及びモジュール技術開発が大変重要となる。本講演では、トヨタ自動車のHV車に採用されたパワーデバイス及びモジュール技術を紹介し、今後の展望を述べる。

＜講演者プロフィール＞
1959年大阪生まれ。1985年大阪府立大学電気工学科修了。同年トヨタ自動車株式会社入社。
電子技術部にて内製電子部品開発担当後、1987年内製半導体開発プロジェクト参画。
プロセス技術、パワーMOSFET/IGBT/BiCDMOSなどのSiデバイス研究開発担当。
現在は第3電子技術部、部長職。Siおよび化合物半導体を含む、車載用内製半導体開発全般のマネージメントを行う。
自動車技術会、電気学会会員。電気学会『パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会』委員。
自動車技術会『車載用パワーエレクトロニクス技術部門委員会』委員長。
ISPSD2003/2010/2011/2012/2013, IPEC-Niigata2005, PCC-Nagoya2007, APE2006/2007/2009/2011委員,
ISPSD2005 Best paper 受賞。
「世界を動かすパワー半導体（電気学会編/コロナ社発行）」編集委員。

低炭素社会を目指す産業用パワーデバイス～その最新技術動向～

［講師］　
富士電機（株） 執行理事
電子デバイス研究所所長
藤平龍彦

＜講演内容＞
低炭素社会への転換が求められる中、グリーンエネルギー化と省エネをパワーデバイスが牽引する。風力・太陽光発電やHEV/EVにおける高効率・小型・高信頼化の厳しい要求に応えるパワーデバイス。その技術動向を紹介する。

＜講演者プロフィール＞
1985年東京大学大学院博士課程中退、富士電機(株)入社。
1986年800VパワーMOSFET製品化。1987年、第一世代IGBT製品化。1991年代に世代IGBT、車満パワーIC製品化。1991年代に世代IGBT、車載パワーＩＣ製品化。1995年代三世代ＩＧＢＴ製品化。1996年ＨＶＩＣ配線の自己遮蔽技術論文発表。1997年世界で初めてスーパージャンクションデバイスの論文発表（スーパージャンクションの命名者）。1998年山梨大学大学院博士号取得、ワンチップイグナイタ製品化。2000年擬平面接合技術論文発表、製品化。2002年オーム技術賞受賞。2004年松本副工場長。2007年電子デバイス研究所長。2008年事業統括部長。2010年媒体事業部長。2011年現職、現在に到る。